無錫冠亞恒溫
在光刻機與封裝產線雙場景下Chiller（溫控設備）需同時滿足光刻工藝溫控和封裝可靠性測試熱管理的嚴苛需求，尤其在薄膜沉積等核心設備中，其技術適配性體現在以下維度：
一、雙場景技術適配Chiller
1、光刻機場景：準確溫控
激光光源冷卻：采用雙循環冷卻架構，主循環維持20℃基準溫度（波動±0.1℃），次級循環針對EUV光源提供-10℃低溫，影響光源功率漂移。
工件臺熱穩定性：通過鈦合金微通道換熱器直接冷卻平臺，結合溫度反饋算法，實現晶圓表面溫度梯度。
薄膜沉積工藝：在ALD/CVD過程中，Chiller需準確控制反應腔體溫度，確保薄膜均勻性。
2、封裝產線場景：寬溫區快速切換
高溫老化測試：模擬芯片在150℃環境下的長期穩定性，Chiller需支持10℃/min快速升溫，并結合熱回收技術降低能耗。
低溫存儲驗證：在-40℃環境下驗證封裝材料抗脆裂性，Chiller采用雙壓縮機冗余設計，確保低溫段控溫精度±0.2℃。
溫度沖擊試驗：在-65℃~150℃范圍內實現30秒溫變，篩選潛在工藝缺陷。
二、薄膜沉積設備溫控方案
1、熱管理挑戰
化學氣相沉積（CVD）：反應腔體需維持高溫（如200℃），但基座需冷卻至50℃以防止熱應力開裂。Chiller采用分區控溫設計，高溫區用導熱油循環加熱，低溫區由冷水機組提供15℃冷卻水，溫差梯度控制精度達±1℃。
物理氣相沉積（PVD）：濺射靶材溫度需穩定在200℃±1℃，Chiller通過脈沖寬度調制（PWM）控制冷卻液流速，避免靶材過熱變形。
2、國內設備商創新方案
冠亞恒溫Chiller：推出多通道獨立控溫系統，支持光刻機與封裝產線并聯運行，通過PID+模糊控制算法，實現光刻環節±0.1℃、封裝環節±0.1℃的差異化精度需求。
冠亞恒溫采用定制Chiller系統，通過多場景算法適配、分區控溫架構、冗余安全設計，系統性解決光刻機與封裝產線的溫控需求，尤其針對薄膜沉積等核心設備提供定制化解決方案，助力國產半導體產線發展。
